汽车功率半导体创立行业组织 业内号令增强财富协同和尺度体系建树

　　● 本报记者 杨洁

　　近日，中国汽车芯片产业创新战略联盟功率半导体分会（简称“分会”）在长沙成立。分会首任理事长董扬表示，功率半导体是发展新能源汽车的核心器件，分会将努力构建功率半导体产业标准体系和生态体系。

　　多位功率半导体产业链从业者表示，随着新能源汽车产业高速发展，国内碳化硅功率半导体发展空间很大。不过，行业目前面临部分环节成本高昂、有效产能不足、标准体系不够完善等问题，需加强统筹规划和产业协同。

　　降低生产成本

　　以碳化硅为代表的第三代半导体在高功率、大电压环境下具有更好的导热性、耐压性等特性，新能源车领域对碳化硅器件的需求不断攀升。

　　根据TrendForce集邦咨询研究，随着越来越多车企在电驱系统中导入碳化硅技术，预计2026年车用碳化硅功率器件市场规模将攀升至39.4亿美元。

　　成本是影响碳化硅半导体渗透率的重要因素。奇瑞汽车研发总院芯片规划总监郭宇辉向记者介绍，当前业内的共识是，20万元以内的电动车用IGBT（绝缘栅双极型晶体管），20万元以上的电动车用碳化硅功率半导体。碳化硅半导体损耗小、耐高压、耐高温，是功率半导体的重要发展方向，业内正在共同努力降低碳化硅功率半导体成本。

　　三安半导体销售副总经理张真榕告诉记者，碳化硅衬底占碳化硅芯片成本约60%，降低碳化硅衬底成本并稳定提高产量是三安半导体下一步工作重点。

　　三安半导体建有国内首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链。在碳化硅衬底产能方面，其一期工程从2021年6月投产以来产能已爬升至1.5万片/月，二期工程预计将于2023年完工，达产后一二期可拥有50万片/年的6英寸碳化硅晶圆产能。

　　张真榕介绍，碳化硅衬底的生产在晶体质量、长晶效率、切磨抛损耗方面存在技术瓶颈。“这是行业企业努力攻克的难关。随着产业化推进和产学研合作，未来有很大降本空间”。

　　张真榕对降低碳化硅衬底成本充满信心。“预计碳化硅芯片成本每年会下降5-8个百分点。”张真榕透露，三安半导体将在二期工程中布局8英寸碳化硅晶圆产线。这是提高产能、降低成本的路径之一。

　　完善标准体系

　　汽车芯片的应用场景较为特殊，对环境适应性、可靠性和安全性的要求较为严苛。据统计，车规级芯片在上车前的送样验证周期一般需要两年左右时间。

　　中国第一汽车集团有限公司功率电子所所长赵永强表示，希望分会进一步促进整车厂和半导体厂协同共进，创建国产碳化硅芯片应用示范项目，引导国产碳化硅器件大规模“上车”。

　　产业发展，标准先行。士兰微功率模块业务相关负责人说，融易新媒体，建议完善汽车功率芯片的标准体系。张真榕表示，希望在驱动电压、模块封装等领域完善标准，促进通用化，发挥规模效应。

　　分会秘书长许艳华介绍，分会囊括了境内从事功率半导体衬底、外延片、晶圆、器件、模块、封测等业务的优势企业，汽车整车企业，零部件供应商，科研院所，大专院校及行业组织。2023年，分会将根据我国新能源汽车发展需要，研究制定车规级功率芯片技术体系、产业发展路线图，并牵头建立车规级功率半导体团体标准体系，组织参与行业标准和国家标准制定修订工作等。

　　工信部装备一司汽车发展处二级调研员陈春梅在分会成立大会上致辞表示，期待功率半导体分会紧跟产业发展规划，研究当前存在的共性问题，搭建良好的交流合作平台，支撑开展标准规范制定，探索新型商业模式。

　　近日工信部组织有关单位编制的《国家汽车芯片标准体系建设指南（2023版）》（征求意见稿）提出，到2025年制定30项以上汽车芯片重点标准，到2030年制定70项以上汽车芯片相关标准。