美光新型DRAM芯片问世！绕过EUV光刻机 能效和内存密度大幅晋升

　　美国内存芯片制造商美光科技公司周二表示，已开始向智能手机制造商提供最新的DRAM芯片样品，以供测试。

　　美光在低功耗LPDDR5X移动内存上采用新一代尖端的制造技术1-beta，使其最高速率可达到8.5Gb。

　　技术创新

　　美光目前批量生产基于1-alpha技术制造的LPDDR5X芯片，而据美光称，1-beta芯片的能效比1-alpha提高了15%，且内存密度提升了35%。

　　能效的提升意味着芯片可以为更强大的处理器腾出容量，融易新媒体，从而延长电池使用寿命。内存密度的提升则意味客户可以将更多的数据放到更为紧凑的空间中，为进一步的性能提升释放空间。

　　此外，美光高管Scott DeBoer表示，1-beta技术是通过美光专有的多重曝光光刻技术结合领先工艺和先进材料实现的，是内存创新的又一次飞跃。1-beta GRAM制程技术带来了前多未有的内存密度，为新一代数据密集型、智能化和低功耗的技术革命奠定了基础。

　　而凭借其专有的多重曝光光刻技术，美光成功绕开了其它芯片公司必须使用的极紫外(EUV)光刻机。

　　DRAM的扩展性很大程度上取决于每平方毫米半导体晶圆面积上继承更多更快闪存的能力，各公司目前通过不断缩小电路面积来进行竞争。而随着芯片尺寸的缩小，这一方向的努力变得越来越难以实现目标。

　　目前各大芯片公司使用EUV光刻技术来克服难关，但该技术仍处于发展初期。

　　美光另辟蹊径，采用其先进的多重曝光技术和浸润式光刻技术，以最高精度在微小面积上形成图案，再一次确立了其全球领先的技术地位。

　　未来的生产

　　美光DRAM工艺集成副总裁Thy Tran表示，新的DRAM将首先在美光位于日本广岛的工厂生产，然后会在包括中国台湾地区在内的其他基地大批量投产。

　　这些芯片将先在移动设备上应用，此后也会在通信、人工智能、机器学习等高耗能领域应用。

　　美光表示，它计划在明年扩大其1-beta产品组合的其余部分，包括在客户端、工业、数据中心和汽车等领域的量产，推出包括显示内存和高带宽内存等产品。