国家大基金三期助力先进封装技术发展 宏微科技蓄势待发

　　证券时报网讯，作为半导体细分行业IGBT领域标准的制定者，宏微科技(688711)凭借其在有机硅灌封技术上的深厚积累和成熟应用，为碳化硅（SiC）等第三代半导体器件的先进封装打下了坚实的技术基础。随着国家大基金三期的推进，在国家政策和资金的支持下，宏微科技有望在未来实现业务的持续增长和盈利能力的显著提升。

　　双管齐下：成熟灌封与创新塑封技术，铸就宏微科技IGBT系统化解决方案专家

　　在有机硅灌封技术方面，宏微科技通过不断的技术研发和优化，已在其多个著名产品中运用了这些技术，包括高性能大功率模块、智能功率模块（IPM）以及光伏逆变器功率模块，实现了产品的批量生产和市场推广。该技术的主要优势在于其高散热性和高可靠性，能够满足新能源汽车、工业自动化及消费电子等新兴领域对高性能封装的需求。

　　根据中国半导体行业协会的数据，2023年中国半导体封装市场规模达到500亿美元，其中先进封装市场占比约30%，显示出巨大的市场潜力。宏微科技在有机硅灌封技术方面的成熟应用，使其在SiC等第三代半导体器件的量产中占据了先发优势。

　　除了有机硅灌封技术的批量化应用，控股子公司芯动能在塑封技术上的先锋布局也值得瞩目。在塑封技术的加持下，公司的双面散热、单面直冷塑封模块等产品凭借高效散热、节能环保和体积紧凑轻量化等优良性能，更加适配于未来需要高可靠性、高散热性能和小型化的领域。

　　作为引领功率半导体封装的新潮流，塑封技术正凭借着其高效的成本效益、优良的封装性能以及出色的机械保护和环境适应性，遭全球多家半导体行业巨头（英飞凌、安森美、意法半导体等）在积极推动应用。Yole数据显示，2023年全球塑封市场规模约为120亿美元，其中中国市场占比超过30%。在国产替代的大背景下，宏微科技作为业内最早一批成功突破塑封技术上的企业，其一流科研技术水平和市场竞争力可见一斑。

　　研发创新不断加码：碳化硅领域成果显著

　　在SiC领域，宏微科技的研发进展同样值得关注。据公司互动平台回复，在芯片方面，公司首款1200V SiC MOSFET芯片研制成功，同时自主研发的SiC SBD（肖特基势垒二极管）芯片已经终端客户验证。在模块方面，融易新媒体消息，新能源汽车碳化硅模块1款产品在整机客户端认证中，1款产品工艺调试中，同时不间断电源（UPS）系统定制的三电平SiC混合模块已经完成开发，已经开始批量供货。

　　宏微科技在碳化硅领域的成功，得益于其持续的研发投入和技术创新。2023年，公司研发投入占比为7.18%，2024年第一季度更是进一步增长到了10.47%。据研究公司预测，到2025年，全球碳化硅市场规模将达到40亿美元。宏微科技凭借其在碳化硅技术上的领先地位，有望进一步巩固其在半导体市场中的领先地位。

　　凭借先进封装技术和碳化硅领域的领先地位，宏微科技有望在这一波产业升级中脱颖而出，成为推动行业发展的重要力量。（齐和宁）