三星取消中间工艺4nm：5nm后直接上马3nm GAAFET

GF（格芯）退出7nm研发后，金字塔尖的先进制程工艺争夺主要环绕台积电、Intel、三星开展。

最新动静称，三星已经重修了工艺蹊径图，打消了此前用于过渡的4nm，在5nm为FinFET（鳍式场效应晶体管）后，直接上马3nm GAAFET(环抱栅极晶体管)。

三星的4nm原定于2021年量产，可其真实身份无非5nm改善。对付三星打消的原因，一方面是3nm推进顺利，另一方面则是市场竞争需要，假如能抢在台积电之前搞定技能难度更高的3nm GAAFET，无疑将为本身争得可观的时机。

三星如今的掌门人李在镕很是垂青芯片代家产务，融易资讯网（www.ironge.com.cn），这一切或也获得了他的授意。

此前，三星曾透露，3nm芯片相较于7nm FinFET，可以淘汰50%的能耗，增加30%的机能。

至于台积电的3nm，听说第一代照旧FinFET，总投资高达500亿美元，风险试产也推迟到了本年10月。