新基建为华微电子带来新赛道：本土功率半导体芯片需求将趋于旺盛

　　中国网科技8月13日讯 昨日，吉林华微电子举行了“新基建-芯片制造的新风口”华微电子京媒交流会。吉林华微电子股份有限公司负责人介绍了公司在半导体芯片领域所取得的最新突破，并就热点问题进行了现场解答。

　　本次京媒交流会上最大亮点，是华微电子向媒体着重介绍的新能源汽车上的核心器件——系列IGBT产品。正在研发的DSC双面模块，可大幅度缩小电机控制器的体积，提高新能源汽车的续航里程，这也是消费者最关心的痛点之一。

　　据介绍，IGBT模块是新能源汽车动力系统的核心器件，华微电子针对新能源汽车开发的系列IGBT产品，均采用先进的TRENCH+FS结构设计和超薄片工艺技术，目前650V和1200V系列IGBT模块，最大电流800A，公司正在研发DSC双面散热模块，此模块同时集成了温度和电流传感，能够进一步降低新能源汽车控制器体积，降低整车损耗，提升整机效率，提高续航里程。

　　新基建成未来发展新风口 为华微电子带来新赛道

　　今年以来，“新基建”逐渐成为中国经济的热词。随着国家新型基础设施建设战略出台，一时间中央及地方政府相关政策密集出台，纷纷为“新基建”指路护航。

　　不同于传统基础设施的工程建设，“新基建”更多是利用互联网、物联网技术，实现对生产要素的“重建”。“新基建”主要涉及“5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心、人工智能、工业互联网”七大领域。

　　华微电子是中国功率半导体器件行业的头部企业。作为松下、 日立、 海信、 创维、美的、长虹等国内外知名企业的配套供应商，华微电子一位负责人对记者表示：“5G、新能源等‘新基建’均涉及功率半导体芯片等基础元器件，功率半导体产业与‘新基建’息息相关，是‘新基建’的‘心脏’。半导体芯片作为‘新基建’领域的底层支撑，叠加半导体产业化的结构机遇，本土功率半导体芯片需求将趋于旺盛。”

　　产品覆盖功率半导体所有分支 为工业互联网提供坚实基础

　　目前，华微电子拥有功率半导体器件4英寸晶圆生产线一条、5英寸生产线一条、6 英寸生产线一条、8 英寸生产线一条。 2019 年，公司生产功率半导体晶圆 400万片。

　　华微电子产品覆盖了功率半导体所有分支。研发和销售的产品包含 IGBT、功率 MOS、快恢复二极管、可控硅、 JFET 晶体管、功率集成电路等。经科技部、中科院等国家机构认证，华微电子被列为国家博士后科研工作站、国家创新型企业、国家企业技术中心、 CNAS 实验室。 2001年 3月 16日，公司在上海证券交易所 A股主板上市(股票代码为 600360)。

　　华微电子产品覆盖了功率半导体所有分支，为全国品类最齐全厂家。在本次京媒交流会上华微电子重点介绍了其产品在新基建领域的各种关键应用。

　　新能源汽车充电桩，我国新基建将大力发展新能源汽车，与之配套的新能源汽车充电桩需求不断增加。华微电子在充电桩领域，三相维也纳输入整流(PFC)部分可以使用FRED和超结MOSFET，在LLC谐振电路可以使用超结MOSFET，在输出输出整流部分可以提供FRD和SiC SBD的解决方案。

　　服务器电源，是新基建中的大数据中心建设中不可或缺的重要支撑，数据中心服务器的电源和输出整流部分，需要大量的超结MOS和中低MOS器件。华微电子的600~650V超结MOS导通电阻可以做到35毫欧，中低MOS电阻可以做到2毫欧，能够高效率的电力转换，数据中心建设提供有力支撑。

　　5G基站，5G网络建设的基础是5G基站的大规模建设，根据工信部数据显示，2019年我国自正式启动5G商用，全国开通的5G基站12.6万个，预计2020年将建设超过60万~80万个5G基站， 5G通信电压在PFC、DC/DC、同步整流、电池保护部分功率半导体器件不可或缺，华微电子可以提供超结MOSFET、中低压MOSFET和SiC产品。

　　工业互联网，是把人、数据和机器连接起来，是工业革命的第三次浪潮；华微电子致力于工业变频应用的功率器件的制造与研发，为中国工业互联网的发展提供坚实的中国制造基础。能够提供包括IGBT、IPM、PM模块和MOSFET产品的解决方案。

　　东北地区唯一整建制半导体企业 助力中国半导体开拓创新

　　华微电子，位于吉林省吉林市(前身为成立于 1965年的吉林市半导体厂)，是一家以生产研发功率半导体器件及功率集成电路为核心业务的国家级高新技术企业。